Silicon Carbide SiC

Fa'amatalaga

Silicon Carbide Wafer SiC, e matua'i faigata, fa'apipi'i fa'apipi'i tioata o le silicon ma carbon e ala ile MOCVD, ma fa'aalia.o lona vaeluaga lautele lautele ma isi uiga lelei o le maualalo o le faʻalauteleina o le vevela, maualuga le vevela o le faʻaogaina, faʻafefe lelei o le vevela, faʻaitiitia le suiga ma le faʻaogaina o le gau, sili atu le malosi o le malosi, maualuga le vevela ma le malosi o le eletise eletise malosi, faʻapea foʻi ma le tele o galu. tulaga.Silicon Carbide SiC i Western Minmetals (SC) Corporation e mafai ona tuʻuina atu i le tele o le 2″ 3'4″ ma le 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) le lautele, faʻatasi ai ma le ituaiga n, semi-insulating poʻo le dummy wafer mo pisinisi. ma le falesuesue talosaga.Soʻo se faʻasalalauga faʻapitoa e mo le fofo atoatoa i tatou tagata faʻatau i le lalolagi atoa.

Talosaga

O le 4H/6H Silicon Carbide SiC wafer e lelei atoatoa mo le gaosiga o le tele o mea e sili atu le vave, maualuga-vevela & eletise eletise eletise e pei o Schottky diodes & SBD, maualuga-mana sui MOSFETs & JFETs, ma isi. ose mea e mana'omia i le su'esu'ega ma le atina'eina o transistors bipolar ma thyristors.I le avea ai o se mea fou fa'atupu semiconducting, o le Silicon Carbide SiC wafer o lo'o galue foi e avea o se fa'asalalauina lelei o le vevela i vaega o le eletise maualuga, po'o se mea mautu ma ta'uta'ua mo le fa'atupuina o le GaN layer e fa'atatau i su'esu'ega fa'asaienisi i le lumana'i.

Su'esu'e nei

Fa'amatalaga

Fa'ailoga

Fa'amatalaga Fa'apitoa

Silicon Carbide SiC

Silicon Carbide SiCi Western Minmetals (SC) Faalapotopotoga e mafai ona tuʻuina atu i le tele o le 2″ 3'4″ ma le 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) le lautele, faʻatasi ai ma le ituaiga n, semi-insulating poʻo le dummy wafer mo fale gaosi oloa ma falesuesue. .Soʻo se faʻasalalauga faʻapitoa e mo le tali sili ona lelei i a tatou tagata faʻatau i le lalolagi atoa.

Fua Faatatau Linear	SiC
Molecular Weight	40.1
Fauga tioata	Wurtzite
Fa'aaliga	Malosi
Lisi Lisi	3103±40K
Fa'apuna	N/A
Malosi ile 300K	3.21 g/cm³
Gap Malosiaga	(3.00-3.23) eV
Tete'e i totonu	>1E5 Ω-cm
Numera CAS	409-21-2
Numera EC	206-991-8

Leai.	Aitema	Fa'amatalaga Tulaga
1	SiC Tele	2"	3"	4"	6"
2	Ole mita mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	Metotia Tuputupu	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Ituaiga Conductivity	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Resistivity Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	Fa'atonuga	0°±0.5°;4.0° agai i le <1120>
7	Mafiafia μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Nofoaga mafolafola Primary	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Primary Flat Umi mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	Nofoaga Lua mafolafola	Silisi fa'asaga i luga: 90°, fa'asaga i le uati mai le matua laugatasi ±5.0°
11	Lua mafolafola Umi mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm maualuga	15	15	15	15
13	punou μm maualuga	40	40	40	40
14	Mata'utia μm	60	60	60	60
15	Tu'u ese mm le maualuga	1	2	3	3
16	Micropipe Density cm-2	<5, alamanuia;<15, fale suesue;<50, valea
17	Fa'asalaina cm-2	<3000, alamanuia;<20000, fale suesue;<500000, fa'afoliga
18	Lau'ele'ele Nm max	1(Polisi), 0.5 (CMP)
19	Ta'eta'ei	Leai, mo tulaga tau alamanuia
20	Papatusi Hexagonal	Leai, mo tulaga tau alamanuia
21	Masisi	≤3mm, umi atoa itiiti ifo nai lo substrate diameter
22	Tipi Chips	Leai, mo tulaga tau alamanuia
23	afifiina	Koneteina wafer ta'itasi ua fa'amaufa'ailogaina ile taga alumini fa'afefiloi.

Silicon Carbide SiC 4H/6He lelei atoatoa wafer mo le gaosiga o le tele o mea aupito sili ona vave, maualuga-vevela & maualuga-voltage masini faaeletonika e pei o Schottky diodes & SBD, maualuga-mana sui MOSFETs & JFETs, ma isi O se mea manaomia foi i le su'esu'ega & atina'e o transistors bipolar ma thyristors fa'amama.I le avea ai o se mea fou fa'atupu semiconducting, o le Silicon Carbide SiC wafer o lo'o galue foi e avea o se fa'asalalauina lelei o le vevela i vaega o le eletise maualuga, po'o se mea mautu ma ta'uta'ua mo le fa'atupuina o le GaN layer e fa'atatau i su'esu'ega fa'asaienisi i le lumana'i.